Список вопросов базы знаний

?) возможность работы на на низких частотах

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) полевые транзисторы

?) усилительные кас кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) тепловой

?) тоннельный

?) смешанный

?) лавинный

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) происходит усиление по току

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) интегральную микросхему

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) активный четырехполюсник

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» - к n-области

?) «+» - к p-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к p-области

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) 700 В

?) 1,4 В

?) 350 В

?) 2 В

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) име ющие два силовых электрода

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) работающие как широкополосные усилители

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) схемах генерирования

?) качестве активного элемента

?) усилительных схемах

?) слаботочных импульсных устройствах

?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник

?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) с малой площадью активной поверхности

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высоким быстродействием

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) истоком

?) затвором

?) стоком

?) базой

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) напряжение источников питания

?) размеры полупроводника

?) диффузную емкость

?) концентрацию примесей

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) основных носителей против поля р

?) неосновных носителей в направлении поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в теп ловой

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) процесс рекомбинации замедлен

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) вольт-амперной

?) вебер-амперной

?) кулон-вольтной

?) внешней

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) электроны присутствуют всегда

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) при нормальных условиях электронов нет

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) резко изменяется режим работы перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) электропре образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) активные полу проводниковые приборы, в которых выходным током уп равляют с помощью электрического поля

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами