Список вопросов базы знаний

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) возможность работы на на низких частотах

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) полевые транзисторы

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) усилительные кас кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) лавинный

?) тоннельный

?) смешанный

?) тепловой

?) происходит усиление по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по напряжению

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по току

?) нет усиления по мощности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) интегральную микросхему

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) активный четырехполюсник

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) «-» будет подключен к p-области

?) «+» - к p-области

?) «+» - к n-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к p-области

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) 1,4 В

?) 350 В

?) 2 В

?) 700 В

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) име ющие два силовых электрода

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) работающие как широкополосные усилители

?) схемах генерирования

?) слаботочных импульсных устройствах

?) усилительных схемах

?) качестве активного элемента

?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник

?) сплавные, диффузионные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высоким быстродействием

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) с малой площадью активной поверхности

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях полупроводника

?) базой

?) стоком

?) затвором

?) истоком

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) размеры полупроводника

?) концентрацию примесей

?) диффузную емкость

?) напряжение источников питания

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р

?) неосновных носителей в направлении поля р

?) основных носителей против поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р

?) лавинный пробой перейдет в теп ловой

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) процесс рекомбинации замедлен

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) вебер-амперной

?) вольт-амперной

?) кулон-вольтной

?) внешней

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) при нормальных условиях электронов нет

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) электроны присутствуют всегда

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) резко изменяется режим работы перехода

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) активные полу проводниковые приборы, в которых выходным током уп равляют с помощью электрического поля

?) электропре образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают