Список вопросов базы знаний

?) возможность работы на на низких частотах

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) усилительные кас кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) полевые транзисторы

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) смешанный

?) тоннельный

?) тепловой

?) лавинный

?) нет усиления по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) происходит усиление по току

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) нет усиления по мощности

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) интегральную микросхему

?) активный четырехполюсник

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) «+» - к p-области

?) «+» - к n-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «-» - к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «+» будет подключен к n области

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) 700 В

?) 1,4 В

?) 350 В

?) 2 В

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) работающие как широкополосные усилители

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) име ющие два силовых электрода

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) слаботочных импульсных устройствах

?) усилительных схемах

?) качестве активного элемента

?) схемах генерирования

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник

?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) с малой площадью активной поверхности

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высоким быстродействием

?) контактирующих слоях проводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) истоком

?) базой

?) затвором

?) стоком

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) размеры полупроводника

?) напряжение источников питания

?) диффузную емкость

?) концентрацию примесей

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) основных носителей против поля р

?) неосновных носителей в направлении поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р

?) лавинный пробой перейдет в теп ловой

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) процесс рекомбинации замедлен

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) кулон-вольтной

?) внешней

?) вольт-амперной

?) вебер-амперной

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) электроны присутствуют всегда

?) при нормальных условиях электронов нет

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) резко изменяется режим работы перехода

?) активные полу проводниковые приборы, в которых выходным током уп равляют с помощью электрического поля

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) электропре образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают