Список вопросов базы знаний

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) возможность работы на на низких частотах

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) полевые транзисторы

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) усилительные кас кады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) смешанный

?) тоннельный

?) лавинный

?) тепловой

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) активный четырехполюсник

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) интегральную микросхему

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» - к p-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «+» - к n-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «-» - к p-области

?) «+» будет подключен к n области

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) 1,4 В

?) 2 В

?) 350 В

?) 700 В

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) име ющие два силовых электрода

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) работающие как широкополосные усилители

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) усилительных схемах

?) качестве активного элемента

?) схемах генерирования

?) слаботочных импульсных устройствах

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл–полупро водник

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, сконст руированный для работы в режиме электрического про боя

?) полупроводниковый диод, напряже ние на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) с малой площадью активной поверхности

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) с высоким быстродействием

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) контактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) базой

?) стоком

?) истоком

?) затвором

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) размеры полупроводника

?) напряжение источников питания

?) концентрацию примесей

?) диффузную емкость

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р

?) неосновных носителей в направлении поля р

?) основных носителей против поля р

?) лавинный пробой перейдет в теп ловой

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) процесс рекомбинации замедлен

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) вебер-амперной

?) вольт-амперной

?) кулон-вольтной

?) внешней

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) при нормальных условиях электронов нет

?) электроны присутствуют всегда

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) резко изменяется режим работы перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) активные полу проводниковые приборы, в которых выходным током уп равляют с помощью электрического поля

?) электропре образовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которо го управляется напряжением

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей