Список вопросов базы знаний

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) практически не зависит от температуры

?) зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) 100 элементов и компонентов

?) 1 000 000 элементов

?) 10 000 элементов

?) 1000 элементов

?) до 10² Ом

?) от 10¹⁴ Ом

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высокой разрешающей способностью

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) туннельного пробоя

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) выходное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно нулю

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя р в слой n

?) дырок из слоя n в слой р

?) электронов из слоя n в слой р

?) большее количество примесей

?) большое удельное сопротивление

?) малое удельное сопротивление

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) колектором

?) катодом

?) анодом

?) заземлением

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) коэффициент усиления

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) барьерная емкость р-n перехода

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе толстопленочной технологии

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) на основе тонкопленочной технологии

?) тепловые

?) фотоэлектрические

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) от 100 С до 400 С

?) близких к абсолютному нулю

?) от 200 С до 300 С

?) до 200 С

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) импульсных переключающих устройств

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) Варикапом

?) стабилитроном

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) выпрямительным точечным диодом

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) большие

?) сверхбольшие

?) средние

?) малые

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) диффузный увеличится

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) атмосферного давления

?) температуры

?) состава атмосферы

?) наличия примесей

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) ионизацией

?) регенерацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) положительное напряжение

?) отрицательное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала