Список вопросов базы знаний

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) практически не зависит от температуры

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) 1000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) 10 000 элементов

?) 100 элементов и компонентов

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) от 10¹⁴ Ом

?) до 10² Ом

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) с высокой разрешающей способностью

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) туннельного пробоя

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) выходное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно заданному

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) дырок из слоя р в слой n

?) электронов из слоя n в слой р

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя n в слой р

?) большое удельное сопротивление

?) малое удельное сопротивление

?) большее количество примесей

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) анодом

?) катодом

?) заземлением

?) колектором

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) коэффициент усиления

?) барьерная емкость р-n перехода

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе тонкопленочной технологии

?) на основе толстопленочной технологии

?) тепловые

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) фотоэлектрические

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) до 200 С

?) от 100 С до 400 С

?) от 200 С до 300 С

?) близких к абсолютному нулю

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) импульсных переключающих устройств

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) стабилитроном

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) выпрямительным точечным диодом

?) Варикапом

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) малые

?) сверхбольшие

?) большие

?) средние

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) диффузный увеличится

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) атмосферного давления

?) состава атмосферы

?) температуры

?) наличия примесей

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) регенерацией

?) генерацией

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) отрицательное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) положительное напряжение