Список вопросов базы знаний

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) определяется концентрацией примеси

?) практически не зависит от температуры

?) зависит от температуры

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) 1000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) 10 000 элементов

?) 100 элементов и компонентов

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) до 10² Ом

?) от 10¹⁴ Ом

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) с высокой разрешающей способностью

?) туннельного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) входное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно заданному

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) электронов из слоя n в слой р

?) дырок из слоя n в слой р

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя р в слой n

?) малое удельное сопротивление

?) большое удельное сопротивление

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) большее количество примесей

?) заземлением

?) колектором

?) катодом

?) анодом

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) барьерная емкость р-n перехода

?) коэффициент усиления

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) на основе толстопленочной технологии

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе тонкопленочной технологии

?) тепловые

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) фотоэлектрические

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) от 200 С до 300 С

?) от 100 С до 400 С

?) до 200 С

?) близких к абсолютному нулю

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) импульсных переключающих устройств

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) стабилитроном

?) Варикапом

?) выпрямительным точечным диодом

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) средние

?) малые

?) большие

?) сверхбольшие

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) диффузный увеличится

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) разрушается

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) состава атмосферы

?) атмосферного давления

?) температуры

?) наличия примесей

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) регенерацией

?) генерацией

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) положительное напряжение

?) отрицательное напряжение

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала