Список вопросов базы знаний

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) зависит от температуры

?) практически не зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) 1000 элементов

?) 100 элементов и компонентов

?) 10 000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) до 10² Ом

?) от 10¹⁴ Ом

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) с высокой разрешающей способностью

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) туннельного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) лавинного пробоя

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) выходное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно заданному

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя р в слой n

?) дырок из слоя n в слой р

?) электронов из слоя n в слой р

?) большое удельное сопротивление

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) большее количество примесей

?) малое удельное сопротивление

?) анодом

?) колектором

?) заземлением

?) катодом

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) коэффициент усиления

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) барьерная емкость р-n перехода

?) на основе толстопленочной технологии

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) на основе тонкопленочной технологии

?) фотоэлектрические

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) тепловые

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) близких к абсолютному нулю

?) от 200 С до 300 С

?) до 200 С

?) от 100 С до 400 С

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) импульсных переключающих устройств

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) стабилитроном

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) Варикапом

?) выпрямительным точечным диодом

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) сверхбольшие

?) средние

?) большие

?) малые

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) диффузный увеличится

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) атмосферного давления

?) температуры

?) наличия примесей

?) состава атмосферы

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) регенерацией

?) генерацией

?) генерацией

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) регенерацией

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) положительное напряжение

?) отрицательное напряжение