Тесты онлайн, бесплатный конструктор тестов. Психологические тестирования, тесты на проверку знаний.
Список вопросов базы знанийЭлектротехника, электроника и схемотехникаВопрос id:584264 Канал транзистора – это ?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами ?) контакт, через который носители заряда вытекают ?) контакт, через который носители заряда входят в канал ?) общий электрод от контактов областей Вопрос id:584265 Коллектор – это ?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции ?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей ?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей ?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей Вопрос id:584266 Концентрация основных носителей в полупроводнике ?) практически не зависит от концентрации примеси ?) определяется концентрацией примеси ?) практически не зависит от температуры ?) зависит от температуры Вопрос id:584267 Лавинный пробой имеет место в (при) ?) р-n-переходах с высокоомной базой ?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости ?) отрицательном дифференциальном сопротивлении ?) р-n-переходах с низкоомной базой Вопрос id:584268 Лазер представляет собой ?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности ?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала ?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором ?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод Вопрос id:584269 Максимальное обратное напряжение на переходах интегральных схем - это ?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока ?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое ?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое ?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС Вопрос id:584270 Малые интегральные схемы содержат до ___ на кристалле ?) 1000 элементов ?) 1 000 000 элементов ?) 10 000 элементов ?) 100 элементов и компонентов Вопрос id:584271 МДП-транзисторы имеют сопротивление ?) от 104 до 106Ом ?) от 102 до 104 Ом ?) до 102 Ом ?) от 1014 Ом Вопрос id:584272 Минимальное прямое напряжение на переходах интегральных схем - это ?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока ?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое ?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое ?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС Вопрос id:584273 Многоэлементные фотоприемники – фотоприемники ?) предназначенные для восприятия световых образов ?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход ?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области ?) с высокой разрешающей способностью Вопрос id:584274 Молекулярные и ионные пленки, шунтирующие р-n-переход, являются причиной ?) туннельного пробоя ?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе ?) лавинного пробоя ?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе Вопрос id:584275 На транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, входное сопротивление, сравнительно ?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ ?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК ?) меньше, чем в схеме с ОК ?) меньше, чем в схеме с ОБ Вопрос id:584278 Напряжение отпускания интегральных схем - это ?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое ?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И ?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое ?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока Вопрос id:584279 Напряжение смещения интегральных схем – это значение напряжения постоянного тока на входе ис, при котором ?) входное напряжение равно заданному ?) входное напряжение равно нулю ?) выходное напряжение равно нулю ?) выходное напряжение равно заданному Вопрос id:584280 Напряжение срабатывания интегральных схем - это ?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое ?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС ?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока ?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое Вопрос id:584281 Нормальным режим работы транзистора называют, когда ?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении ?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора ?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном ?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном Вопрос id:584282 Обедненный слой в приграничных областях слоя р и слоя n возникает в следствие диффузии ?) электронов из слоя n в слой р ?) дырок из слоя n в слой р ?) электронов из слоя р в слой n ?) дырок из слоя р в слой n Вопрос id:584283 Обедненный слой имеет ?) малое удельное сопротивление ?) большое удельное сопротивление ?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника ?) большее количество примесей Вопрос id:584284 Один из выводов биполярного транзистора называется … ?) заземлением ?) колектором ?) катодом ?) анодом Вопрос id:584285 Омическим называют контакт ?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством ?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством ?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством ?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством Вопрос id:584286 Оптопара с открытым оптическим каналом: ?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом ?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне ?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник ?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях Вопрос id:584287 Оптопара с управляемым оптическим каналом ?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом ?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях ?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне ?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник Вопрос id:584288 Оптопарой называют ?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации ?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы ?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически ?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом Вопрос id:584289 Оптоэлектронные датчики – это ?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом ?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации ?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики ?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы Вопрос id:584290 Основная особенность полупроводников – это ?) независимость удельной электрической проводимости от температуры ?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры ?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры ?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры Вопрос id:584291 Параметры, характеризующие свойства полевого транзистора усиливать напряжение, следующие ?) барьерная емкость р-n перехода ?) коэффициент усиления ?) крутизна стокозатворной характеристики ?) внутреннее дифференциальное сопротивление Вопрос id:584292 Пассивные элементы гибридных ИС могут быть выполнены ?) на основе толстопленочной технологии ?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры ?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки ?) на основе тонкопленочной технологии Вопрос id:584293 По принципу действия фотоприёмники можно подразделить на ?) тепловые ?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля ?) фотоэлектрические ?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации Вопрос id:584294 Полевые транзисторы могут работать при температурах ?) от 200 С до 300 С ?) от 100 С до 400 С ?) до 200 С ?) близких к абсолютному нулю Вопрос id:584295 Полевые транзисторы предназначены для ?) усилительных устройств, для малых переменных токов ?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний ?) импульсных переключающих устройств ?) усиления на высоких и сверх высоких частотах Вопрос id:584296 Полевые транзисторы – это полупроводниковые приборы ?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем ?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов ?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током ?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем Вопрос id:584297 Полупроводниковый диод – это полупроводниковый прибор с ?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами ?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами ?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами ?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами Вопрос id:584298 Полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока и который служит для стабилизации напряжения, называется … ?) выпрямительным плоскостным диодом ?) стабилитроном ?) Варикапом ?) выпрямительным точечным диодом Вопрос id:584299 Пороговое напряжение логического нуля интегральных схем - это ?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики ?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое ?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое ?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики Вопрос id:584300 Пороговое напряжение логической единицы интегральных схем - это ?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое ?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики ?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики ?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое Вопрос id:584301 Представляют собой законченное микроэлектронное устройство, способное выполнять функции аппаратуры, ___ интегральные схемы ?) средние ?) малые ?) большие ?) сверхбольшие Вопрос id:584302 При высоких частотах сигнала в транзисторе ?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами ?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока ?) канал образуется под воздействием электрического поля ?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения Вопрос id:584303 При отсутствии сигнала на входе МДП-транзисторы с индуцированным каналом находятся в ?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания ?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания ?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания ?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания Вопрос id:584304 При прямом включении в p-n переходе ?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U ?) диффузный увеличится ?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U ?) дрейфовый поток уменьшается Вопрос id:584305 При тепловом пробое ?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность ?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения ?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность ?) разрушается кристаллическая структура полупроводника Вопрос id:584306 При электрическом пробое р-n переход ?) разрушается ?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность ?) не разрушается и сохраняет работоспособность ?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения Вопрос id:584307 Принцип работы стабилитрона основан на том, что на р-n переходе в области электрического пробоя при ?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока ?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока ?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока ?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока Вопрос id:584308 Пробоем перехода называют резкое ?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения ?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения ?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения ?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения Вопрос id:584309 Проводимость полупроводников в значительной степени зависит от ?) состава атмосферы ?) атмосферного давления ?) температуры ?) наличия примесей Вопрос id:584310 Простой светопровод выполняется в виде ?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник ?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом ?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях ?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне Вопрос id:584311 Процесс возникновения свободного электрона и дырки в полупроводнике называется ?) ионизацией ?) рекомбинацией ?) генерацией ?) регенерацией Вопрос id:584312 Процесс, приводящий к исчезновению свободного электрона и дырки, называется ?) регенерацией ?) генерацией ?) рекомбинацией ?) ионизацией Вопрос id:584313 Режимом насыщения работы транзистора называют режим, когда ?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном ?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении ?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении ?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном Вопрос id:584314 Режимом отсечки называют режим работы транзистора, когда ?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном ?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора ?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном ?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении Вопрос id:584315 Режиму обеднения полевого транзистора соответствует ?) положительное напряжение ?) отрицательное напряжение ?) при увеличении ?) чем больше модуль |
Copyright tests.ithead.ru 2013-2026