Список вопросов базы знаний

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) зависит от температуры

?) практически не зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) 1 000 000 элементов

?) 1000 элементов

?) 10 000 элементов

?) 100 элементов и компонентов

?) от 10¹⁴ Ом

?) от 10² до 10⁴ Ом

?) от 10⁴ до 10⁶Ом

?) до 10² Ом

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) с высокой разрешающей способностью

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) туннельного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) лавинного пробоя

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) входное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно заданному

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) дырок из слоя n в слой р

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя р в слой n

?) электронов из слоя n в слой р

?) малое удельное сопротивление

?) большее количество примесей

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) большое удельное сопротивление

?) катодом

?) колектором

?) анодом

?) заземлением

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) барьерная емкость р-n перехода

?) коэффициент усиления

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе толстопленочной технологии

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) на основе тонкопленочной технологии

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фотоэлектрические

?) тепловые

?) от 200 С до 300 С

?) близких к абсолютному нулю

?) от 100 С до 400 С

?) до 200 С

?) импульсных переключающих устройств

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) Варикапом

?) выпрямительным плоскостным диодом

?) стабилитроном

?) выпрямительным точечным диодом

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) средние

?) сверхбольшие

?) малые

?) большие

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) диффузный увеличится

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) температуры

?) состава атмосферы

?) наличия примесей

?) атмосферного давления

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) регенерацией

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) генерацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) отрицательное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) положительное напряжение