Тесты онлайн, бесплатный конструктор тестов. Психологические тестирования, тесты на проверку знаний.
Список вопросов базы знанийЭлектротехника и электроникаВопрос id:1276097 Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является ?) СИС ?) МИС ?) СБИС ?) БИС Вопрос id:1276098 Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 800 элементов, является ?) МИС ?) СИС ?) БИС ?) СБИС Вопрос id:1276099 Биполярный транзистор имеет количество p-n-переходов, равное ?) четырем ?) двум ?) трем ?) одному Вопрос id:1276100 Биполярный транзистор: ?) полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электирическим переходом ?) полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три p-n перехода ?) полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля ?) полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами, имеющий три вывода Вопрос id:1276101 В активном режиме работы транзистора ?) эмиттерный переход смещен в обратном направлении ?) переходы не смещены ?) коллекторный переход смещен в прямом направлении ?) эмиттерный переход смещен в прямом направлении Вопрос id:1276102 В обозначении светодиода вторая буква указывает на ?) вид прибора ?) подвид светодиода ?) конструктивное исполнение ?) материал изготовления Вопрос id:1276103 В обозначении светодиода первая буква указывает на ?) подвид светодиода ?) материал изготовления ?) конструктивное исполнение ?) вид прибора Вопрос id:1276104 В оптопарах, используемых для развязки, в качестве фотоприемника обычно применяются: 1) диод; 2) тиристор; 3) резистор; 4) пара диодов; 5) конденсатор; 6) воздушный трансформатор - из перечисленного ?) 1, 2, 3, 4 ?) 1, 3, 4, 5 ?) 1, 2, 3, 5 ?) 2, 4, 5, 6 Вопрос id:1276105 В режиме насыщения биполярного транзистора: ?) коллекторный переход смещён в обратном направлении, а эмиттерный в прямом ?) оба перехода смещены в прямом направлении ?) оба перехода смещены в обратном направлении ?) коллекторный переход смещён в обратном направлении, а эмиттерный находится под очень малым прямым напряжением Вопрос id:1276106 В режиме насыщения транзистора ?) коллекторный переход смещен в прямом направлении ?) переходы не смещены ?) эмиттерный переход смещен в обратном направлении ?) коллекторный переход смещен в обратном направлении Вопрос id:1276107 В солнечных элементах фотодиоды работают в режиме ?) фотоусилителя ?) фотопреобразователя ?) фотоизлучателя ?) фотогенератора Вопрос id:1276109 Время, за которое инжектируемые носители электричества проходят базу, называется ?) время жизни ?) среднее время пролета ?) время рассасывания ?) среднее время восстановления Вопрос id:1276110 Входные характеристики биполярного транзистора для схемы с общей базой характеризуют ?) барьерной емкостью ?) дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода ?) дифференциальным сопротивлением ?) дифференциальным коэффициентом передачи эмиттерного тока Вопрос id:1276111 Генератор света высокой направленности, монохроматичности и когерентности называется ?) оптопарой ?) лазером ?) светодиодом ?) фотодиодом Вопрос id:1276113 Для гибридных микросхем отдельно изготавливают такие элементы, как ?) резисторы ?) индуктивные ?) транзисторы ?) конденсаторы Вопрос id:1276115 Для характеристики диодов широко используются параметры: 1) дифференциальное сопротивление; 2) максимально допустимый постоянный прямой ток; 3) коэффициент влияния нестабильности источника питания; 4) максимально допустимое обратное напряжение - из перечисленного ?) 1, 4 ?) 2, 3 ?) 1, 3 ?) 2, 4 Вопрос id:1276116 Достоинствами ЖКИ являются: 1) малая потребляемая мощность; 2) не требуют источников постороннего света; 3) хорошая четкость знаков; 4) высокая яркость - из перечисленного ?) 2, 3 ?) 2, 4 ?) 1, 3 ?) 1, 4 Вопрос id:1276117 Если геометрическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости достаточно мало, то возникает пробой ?) лавинный ?) тепловой ?) туннельный ?) механический Вопрос id:1276118 Если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома, то возникает пробой ?) лавинный ?) тепловой ?) механический ?) туннельный Вопрос id:1276119 Зависимость тока от освещенности при заданном напряжении на фоторезисторе называется характеристикой ?) люмено-амперной ?) вольт-амперной ?) люкс-амперной ?) переходной Вопрос id:1276120 Из перечисленного математическая модель диода включает: 1) ВАХ диода 2) параметры диода 3) эквивалентную схему диода 4) математические выражения, описывающих элементы эквивалентной схемы ?) 2, 4 ?) 3, 4 ?) 1, 3 ?) 1, 2 Вопрос id:1276121 Из перечисленного по типу оптического канала между излучателем и фотоприемником различают оптопары: 1) с простым светопроводом; 2) с открытым оптическим каналом; 3) с составным оптическим каналом; 4) с управляемым оптическим каналом; 5) с составным светопроводом - из перечисленного ?) 1, 4, 5 ?) 1, 2, 4 ?) 1, 3, 5 ?) 2, 3, 4 Вопрос id:1276122 Излучающий диод, работающий в видимом диапазоне волн, называют ?) стабилитроном ?) оптодиодом ?) светодиодом ?) фотодиодом Вопрос id:1276123 Инерционность полевого транзистора определяется в основном ?) поверхностными утечками в области выводов ?) малой скоростью основных носителей ?) большим сечением канала ?) процессами перезаряда барьерной емкости р-n-перехода Вопрос id:1276124 Интегральная микросхема, имеющая N элементов, имеет степень интеграции ?) N ?) ln N ?) lg N ?) 2N Вопрос id:1276125 Интегральная схема: ?) интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника ?) интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика ?) интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника ?) микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединённых элементов и кристаллов, которое рассматривается как единое целое Вопрос id:1276126 Интервал, в течение которого обратное напряжение на диоде при его переключении начинает быстро возрастать (по модулю), называется временем ?) восстановления ?) спада ?) жизни ?) рассасывания Вопрос id:1276127 Источником когерентного оптического излучения является ?) фотодиод ?) полупроводниковый лазер ?) светоизлучающий диод ?) оптрон Вопрос id:1276128 Источником некогерентного оптического излучения является ?) полупроводниковый лазер ?) фотодиод ?) оптрон ?) светоизлучающий диод Вопрос id:1276129 К динамическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состояния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного ?) 1, 4, 5 ?) 1, 3, 4 ?) 2, 3, 5 ?) 1, 4 Вопрос id:1276130 К основным типам индикаторов относятся: 1) полупроводниковые; 2) твердотельные; 3) вакуумные люминесцентные; 4) плазменные; 5) газоразрядные; 6) жидкокристаллические - из перечисленного ?) 1, 3, 5, 6 ?) 1, 2, 3, 4 ?) 1, 2, 4, 6 ?) 3, 4, 5, 6 Вопрос id:1276131 К статическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состояния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность - из перечисленного ?) 1, 4 ?) 2, 3, 5 ?) 2, 3 ?) 1, 2, 3 Вопрос id:1276132 К фотоприемникам дискретных сигналов предъявляются требования: 1) широкий спектр; 2) большой КПД; 3) высокое быстродействие; 4) возможность фотонного накопления - из перечисленного ?) 1, 2 ?) 1, 4 ?) 3, 4 ?) 2, 3 Вопрос id:1276133 К эксплуатационным параметрам микросхем относятся: 1) средняя потребляемая мощность; 2) диапазон рабочих температур; 3) допустимые механические нагрузки; 4) напряжение источника питания - из перечисленного ?) 2, 3, 4 ?) 1, 2, 4 ?) 2, 3 ?) 1, 4 Вопрос id:1276135 Концентрация неосновных носителей в полупроводнике сильно зависит от ?) влажности окружающей среды ?) давления окружающей среды ?) концентрации примеси ?) температуры окружающей среды Вопрос id:1276136 Концентрация основных носителей в полупроводнике в основном определяется ?) влажностью окружающей среды ?) концентрацией примеси ?) температурой окружающей среды ?) давлением окружающей среды Вопрос id:1276137 Коэффициент полезного действия оптоэлектронных приборов составляет ?) 1-5% ?) 10-20% ?) 80-90% ?) 50-70% Вопрос id:1276138 КПД солнечных элементов составляет ?) 50% ?) 5% ?) 20% ?) 80% Вопрос id:1276139 МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в режимах: 1) обеднения; 2) обогащения; 3) насыщения; 4) отсечки - из перечисленного ?) 1, 2 ?) 3, 4 ?) 1, 2, 4 ?) 1, 3, 4 Вопрос id:1276140 На практике тиристор обычно включают током управления ?) переменным с большой частотой ?) импульсным ?) переменным с малой частотой ?) постоянным Вопрос id:1276141 На рисунке изображен  ?) диод ?) варикап ?) тиристор ?) стабилитрон Вопрос id:1276142 На рисунке изображен  ?) стабилитрон ?) тиристор ?) диод Шоттки ?) варикап Вопрос id:1276143 На рисунке изображен  ?) стабилитрон ?) туннельный диод ?) варикап ?) тиристор Вопрос id:1276144 На рисунке изображен  ?) туннельный диод ?) диод Шоттки ?) варикап ?) стабилитрон Вопрос id:1276145 На рисунке изображен  ?) тиристор ?) стабилитрон ?) туннельный диод ?) варикап Вопрос id:1276146 На рисунке изображен МДП-транзистор  ?) с индуцированным каналом n-типа ?) со встроенным каналом n-типа ?) со встроенным каналом p-типа ?) с индуцированным каналом p-типа Вопрос id:1276147 На рисунке изображен МДП-транзистор  ?) с индуцированным каналом n-типа ?) со встроенным каналом p-типа ?) со встроенным каналом n-типа ?) с индуцированным каналом p-типа Вопрос id:1276150 На рисунке изображен:  ?) туннельный диод ?) диод Шоттки ?) варикап ?) тиристор Вопрос id:1276151 На рисунке изображена схема включения транзистора  ?) с общим эмиттером ?) с общей базой ?) с общим коллектором ?) инверсного Вопрос id:1276152 На рисунке изображена схема включения транзистора  ?) инверсного ?) с общим эмиттером ?) с общей базой ?) с общим коллектором |
Copyright tests.ithead.ru 2013-2026