Список вопросов базы знаний

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) зависит от температуры

?) практически не зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) 100 элементов и компонентов

?) 10 000 элементов

?) 1000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) от 10 Ом

?) от 10 до 10Ом

?) до 10 Ом

?) от 10 до 10Ом

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) с высокой разрешающей способностью

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) туннельного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) входное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно нулю

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) электронов из слоя n в слой р

?) электронов из слоя р в слой n

?) дырок из слоя n в слой р

?) дырок из слоя р в слой n

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) малое удельное сопротивление

?) большое удельное сопротивление

?) большее количество примесей

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) коэффициент усиления

?) барьерная емкость р-n перехода

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) на основе толстопленочной технологии

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе тонкопленочной технологии

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) фотоэлектрические

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) тепловые

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) от 200 С до 300 С

?) до 200 С

?) близких к абсолютному нулю

?) от 100 С до 400 С

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) импульсных переключающих устройств

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) сверхбольшие

?) малые

?) большие

?) средние

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) диффузный увеличится

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) состава атмосферы

?) наличия примесей

?) атмосферного давления

?) температуры

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) регенерацией

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) ионизацией

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) отрицательное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) положительное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) отрицательное напряжение

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) положительное напряжение