Список вопросов базы знаний

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) практически не зависит от температуры

?) зависит от температуры

?) определяется концентрацией примеси

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) 1000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) 10 000 элементов

?) 100 элементов и компонентов

?) от 10 до 10Ом

?) от 10 до 10Ом

?) до 10 Ом

?) от 10 Ом

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) с высокой разрешающей способностью

?) лавинного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) туннельного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) входное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно заданному

?) входное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно нулю

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) дырок из слоя n в слой р

?) дырок из слоя р в слой n

?) электронов из слоя р в слой n

?) электронов из слоя n в слой р

?) большее количество примесей

?) большое удельное сопротивление

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) малое удельное сопротивление

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) барьерная емкость р-n перехода

?) коэффициент усиления

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) на основе тонкопленочной технологии

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе толстопленочной технологии

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фотоэлектрические

?) тепловые

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) от 100 С до 400 С

?) близких к абсолютному нулю

?) до 200 С

?) от 200 С до 300 С

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) импульсных переключающих устройств

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) сверхбольшие

?) большие

?) средние

?) малые

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) диффузный увеличится

?) дрейфовый поток уменьшается

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) температуры

?) атмосферного давления

?) наличия примесей

?) состава атмосферы

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) рекомбинацией

?) генерацией

?) регенерацией

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) регенерацией

?) генерацией

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) положительное напряжение

?) отрицательное напряжение

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) отрицательное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) положительное напряжение