Список вопросов базы знаний

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) определяется концентрацией примеси

?) практически не зависит от концентрации примеси

?) практически не зависит от температуры

?) зависит от температуры

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) газоразрядный диод, содержащий один или несколько катодов и анод

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) 100 элементов и компонентов

?) 1000 элементов

?) 1 000 000 элементов

?) 10 000 элементов

?) до 10 Ом

?) от 10 до 10Ом

?) от 10 Ом

?) от 10 до 10Ом

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высокой разрешающей способностью

?) предназначенные для восприятия световых образов

?) с высокой фоточувствительностью и низким уровнем шумов в широкой спектральной области

?) подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе

?) туннельного пробоя

?) подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

?) лавинного пробоя

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОК

?) меньше, чем в схеме с ОК

?) мало, но гораздо больше, чем в схеме с ОБ

?) меньше, чем в схеме с ОБ

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

?) входное напряжение равно нулю

?) входное напряжение равно заданному

?) выходное напряжение равно нулю

?) выходное напряжение равно заданному

?) наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС

?) наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока

?) наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) электронов из слоя р в слой n

?) электронов из слоя n в слой р

?) дырок из слоя р в слой n

?) дырок из слоя n в слой р

?) сопротивление приблизительно равное сопротивлению полупроводника

?) большое удельное сопротивление

?) малое удельное сопротивление

?) большее количество примесей

?) металла с полупроводником, не обладающий выпрямляющим свойством

?) металла с полупроводником, обладающий выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, не обладающих выпрямляющим свойством

?) двух полупроводников, обладающий выпрямляющим свойством

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) в виде гибкого волоконно-оптического световода - кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) оптоэлектронный прибор, в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) независимость удельной электрической проводимости от температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при понижении температуры

?) снижение удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) возрастание удельной электрической проводимости при повышении температуры

?) крутизна стокозатворной характеристики

?) барьерная емкость р-n перехода

?) коэффициент усиления

?) внутреннее дифференциальное сопротивление

?) по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки

?) на основе толстопленочной технологии

?) на основе тонкопленочной технологии

?) как вакуумные микродиодные и триодные структуры

?) фотоэлектрические

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) тепловые

?) содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) от 100 С до 400 С

?) близких к абсолютному нулю

?) от 200 С до 300 С

?) до 200 С

?) усиления на высоких и сверх высоких частотах

?) усиления мощности и преобразования электрических колебаний

?) усилительных устройств, для малых переменных токов

?) импульсных переключающих устройств

?) двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

?) одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики и значение высокого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наименьшее значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) значение высокого уровня напряжения для "положительной" логики и значение низкого уровня напряжения для "отрицательной" логики

?) наибольшее значение низкого уровня напряжения для "положительной" логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

?) большие

?) сверхбольшие

?) средние

?) малые

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения

?) наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами

?) значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

?) канал образуется под воздействием электрического поля

?) закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

?) открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания

?) закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания

?) диффузный увеличится

?) потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

?) дрейфовый поток уменьшается

?) потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U

?) р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность

?) разрушается кристаллическая структура полупроводника

?) не разрушается и сохраняет работоспособность

?) не разрушается, но не сохраняет работоспособность

?) перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения

?) разрушается

?) прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока

?) прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

?) обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

?) возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

?) атмосферного давления

?) состава атмосферы

?) температуры

?) наличия примесей

?) открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне

?) материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

?) прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник

?) гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) ионизацией

?) рекомбинацией

?) регенерацией

?) генерацией

?) генерацией

?) рекомбинацией

?) ионизацией

?) регенерацией

?) оба p-n-перехода смещены в прямом направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) положительное напряжение

?) отрицательное напряжение

?) положительное напряжение

?) отрицательное напряжение

?) чем больше модуль , тем больше проводимость канала

?) при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается