Список вопросов базы знаний

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) положительными

?) прямыми или обратными

?) нейтральными

?) отрицательными

?) нейтральными

?) положительными

?) электрическими или оптическими

?) прямыми или обратными

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) обладающий усилительными свойствами

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) простой светопровод

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) управляемый оптический канал

?) открытый оптический канал

?) люминесцентные

?) светодиодные

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) одно- и многоразрядные

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) напряженность поля р-n перехода

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) концентрация основных носителей заряда

?) обратный ток

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) низких и средних частотах

?) средних и высоких частотах

?) низких частотах

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) больших

?) малых низкочастотных

?) больших высокочастотных

?) малых

?) 140 до 340 K

?) 4 до 240 K

?) 140 до 640 K

?) 4 до 640 K

?) ФЧХ с положительным

?) ВАХ с положительным

?) ФЧХ с отрицательным

?) ВАХ с отрицательным

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) вплавления примесей

?) смещение перехода в прямом направлении

?) уменьшения толщины базы

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) основных носителей заряда

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) для задержки сигналов

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) область, из которой инжектируются носители заряда

?) область, в которую инжектируются носители заряда

?) контакт металл - полупроводник

?) электронно-дырочный переход