Список вопросов базы знаний

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) прямыми или обратными

?) отрицательными

?) нейтральными

?) положительными

?) электрическими или оптическими

?) положительными

?) прямыми или обратными

?) нейтральными

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) обладающий усилительными свойствами

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) управляемый оптический канал

?) простой светопровод

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) открытый оптический канал

?) светодиодные

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) одно- и многоразрядные

?) люминесцентные

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) обратный ток

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) напряженность поля р-n перехода

?) концентрация основных носителей заряда

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) средних и высоких частотах

?) низких частотах

?) низких и средних частотах

?) малых

?) больших

?) больших высокочастотных

?) малых низкочастотных

?) 140 до 340 K

?) 4 до 640 K

?) 140 до 640 K

?) 4 до 240 K

?) ФЧХ с положительным

?) ФЧХ с отрицательным

?) ВАХ с положительным

?) ВАХ с отрицательным

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) вплавления примесей

?) смещение перехода в прямом направлении

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) уменьшения толщины базы

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) основных носителей заряда

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) для задержки сигналов

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) область, из которой инжектируются носители заряда

?) область, в которую инжектируются носители заряда

?) электронно-дырочный переход

?) контакт металл - полупроводник