Список вопросов базы знаний

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) отрицательными

?) прямыми или обратными

?) положительными

?) нейтральными

?) электрическими или оптическими

?) нейтральными

?) положительными

?) прямыми или обратными

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) обладающий усилительными свойствами

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) открытый оптический канал

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) простой светопровод

?) управляемый оптический канал

?) люминесцентные

?) светодиодные

?) одно- и многоразрядные

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) обратный ток

?) напряженность поля р-n перехода

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) концентрация основных носителей заряда

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) средних и высоких частотах

?) низких и средних частотах

?) низких частотах

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) малых низкочастотных

?) больших

?) малых

?) больших высокочастотных

?) 140 до 640 K

?) 140 до 340 K

?) 4 до 240 K

?) 4 до 640 K

?) ВАХ с положительным

?) ФЧХ с отрицательным

?) ФЧХ с положительным

?) ВАХ с отрицательным

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) уменьшения толщины базы

?) смещение перехода в прямом направлении

?) вплавления примесей

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) основных носителей заряда

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два p-n-перехода

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) для задержки сигналов

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) электронно-дырочный переход

?) контакт металл - полупроводник

?) область, из которой инжектируются носители заряда

?) область, в которую инжектируются носители заряда