Список вопросов базы знаний

?) два p-n-перехода

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) нейтральными

?) отрицательными

?) прямыми или обратными

?) положительными

?) прямыми или обратными

?) нейтральными

?) электрическими или оптическими

?) положительными

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) обладающий усилительными свойствами

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) при I_Э=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) управляемый оптический канал

?) простой светопровод

?) открытый оптический канал

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) одно- и многоразрядные

?) светодиодные

?) люминесцентные

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) концентрация основных носителей заряда

?) обратный ток

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) напряженность поля р-n перехода

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) низких частотах

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) средних и высоких частотах

?) низких и средних частотах

?) малых

?) больших высокочастотных

?) больших

?) малых низкочастотных

?) 140 до 640 K

?) 140 до 340 K

?) 4 до 640 K

?) 4 до 240 K

?) ВАХ с положительным

?) ФЧХ с отрицательным

?) ФЧХ с положительным

?) ВАХ с отрицательным

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) уменьшения толщины базы

?) смещение перехода в прямом направлении

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) вплавления примесей

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) основных носителей заряда

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) для задержки сигналов

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) область, из которой инжектируются носители заряда

?) контакт металл - полупроводник

?) область, в которую инжектируются носители заряда

?) электронно-дырочный переход