Список вопросов базы знаний

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) нейтральными

?) положительными

?) прямыми или обратными

?) отрицательными

?) нейтральными

?) положительными

?) электрическими или оптическими

?) прямыми или обратными

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) обладающий усилительными свойствами

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) при I_Э=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) при I_Э=const

?) при U_КЭ=const

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) управляемый оптический канал

?) открытый оптический канал

?) простой светопровод

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) одно- и многоразрядные

?) люминесцентные

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) светодиодные

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) обратный ток

?) концентрация основных носителей заряда

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) напряженность поля р-n перехода

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) средних и высоких частотах

?) низких и средних частотах

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) низких частотах

?) малых

?) больших

?) малых низкочастотных

?) больших высокочастотных

?) 4 до 240 K

?) 4 до 640 K

?) 140 до 640 K

?) 140 до 340 K

?) ФЧХ с положительным

?) ФЧХ с отрицательным

?) ВАХ с положительным

?) ВАХ с отрицательным

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) смещение перехода в прямом направлении

?) уменьшения толщины базы

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) вплавления примесей

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) основных носителей заряда

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два p-n-перехода

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) два p-n-перехода

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) для задержки сигналов

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) контакт металл - полупроводник

?) область, в которую инжектируются носители заряда

?) область, из которой инжектируются носители заряда

?) электронно-дырочный переход