Список вопросов базы знаний

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) зоны, в которых при температуре 0 к электронов нет

?) разрешенные зоны, в которых электроны отсутствуют

?) зоны, в которой электронов нет ни при каких температурных условиях

?) разрешенные зоны, в которых электроны находятся только при нормальных условиях

?) нейтральными

?) отрицательными

?) положительными

?) прямыми или обратными

?) электрическими или оптическими

?) положительными

?) нейтральными

?) прямыми или обратными

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) работающий в режиме электрического пробоя

?) обладающий усилительными свойствами

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя

?) спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

?) при U_КЭ=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при I_Б=const

?) при U_КБ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Э=const

?) при I_Б=const

?) при U_КЭ=const

?) при U_КЭ=const

?) при I_Э=const

?) при U_КБ=const

?) при I_Б=const

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей

?) управляемый оптический канал

?) гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) открытый оптический канал

?) простой светопровод

?) одно- и многоразрядные

?) люминесцентные

?) светодиодные

?) цифровые и буквенно-цифровые

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) коллектор является общим электродом для источников напряжения

?) база является общим электродом для источников напряжения

?) коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением

?) эмиттер является общим электродом для источников напряжения

?) напряженность поля р-n перехода

?) концентрация неосновных носителей заряда

?) обратный ток

?) концентрация основных носителей заряда

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) достаточно малом расстоянии между валентной зоной и зоной проводимости в кристалле

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) концентрацией основных носителей заряда р-n перехода

?) перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

?) область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен

?) при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током

?) с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

?) усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем

?) с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой при отключенной нагрузке

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в прямом направлении

?) в котором используется явление тоннельного пробоя при включении в обратном направлении

?) в котором используется не p-n переход, а выпрямляющий контакт «металл-полупроводник»

?) предназначенный для работы в качестве конденсатора

?) низких частотах

?) высоких и сверхвысоких частотах

?) низких и средних частотах

?) средних и высоких частотах

?) больших высокочастотных

?) малых низкочастотных

?) больших

?) малых

?) 4 до 640 K

?) 140 до 340 K

?) 4 до 240 K

?) 140 до 640 K

?) ФЧХ с положительным

?) ВАХ с положительным

?) ВАХ с отрицательным

?) ФЧХ с отрицательным

?) р-n-переходах с низкоомной базой

?) отрицательном дифференциальном сопротивлении

?) разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

?) р-n-переходах с высокоомной базой

?) сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

?) из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади

?) сконструированный на основе вырожденного полупроводника

?) с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами

?) вплавления примесей

?) включения инверсного режима работы транзистора

?) уменьшения толщины базы

?) смещение перехода в прямом направлении

?) основных носителей заряда

?) и экстракции неосновных носителей заряда

?) неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда

?) основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) два p-n-перехода

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) два p-n-перехода

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) p-n-переход и два контакта, действие которых основано на использовании внутреннего фотоэффекта

?) два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

?) один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект

?) p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

?) два p-n-перехода

?) интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

?) используют внешний или внутренний фотоэффект

?) преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы - включен, выключен, - имеющие три или более p-n переходов

?) он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную

?) изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода

?) полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между U_ВХ и U_ВЫХ

?) его нельзя выключить с помощью тока управления

?) программирования и хранения цифровых массивов

?) для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

?) обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций

?) для задержки сигналов

?) заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

?) сопротивление коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) сопротивление коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно выше, чем эмиттерного

?) токи коллекторного перехода значительно ниже, чем эмиттерного

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

?) крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей

?) крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

?) контакт металл - полупроводник

?) электронно-дырочный переход

?) область, в которую инжектируются носители заряда

?) область, из которой инжектируются носители заряда