Список вопросов базы знаний

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) возможность работы на на низких частотах

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) усилительные каскады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) полевые транзисторы

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) тепловой

?) лавинный

?) смешанный

?) тоннельный

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по току

?) нет усиления по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) интегральную микросхему

?) активный четырехполюсник

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) «+» - к p-области

?) «+» - к n-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к p-области

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) работающие как широкополосные усилители

?) имеющие два силовых электрода

?) слаботочных импульсных устройствах

?) схемах генерирования

?) усилительных схемах

?) качестве активного элемента

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) с высоким быстродействием

?) с малой площадью активной поверхности

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) контактирующих слоях полупроводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) истоком

?) стоком

?) затвором

?) базой

?) при заданном токе

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) диффузную емкость

?) концентрацию примесей

?) напряжение источников питания

?) размеры полупроводника

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) основных носителей против поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода

?) неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) лавинный пробой перейдет в тепловой

?) процесс рекомбинации замедлен

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) внешней

?) вольт-амперной

?) кулон-вольтной

?) вебер-амперной

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) электроны присутствуют всегда

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) при нормальных условиях электронов нет

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) резко изменяется режим работы перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал