Список вопросов базы знаний

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) возможность работы на на низких частотах

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) усилительные каскады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) полевые транзисторы

?) лавинный

?) тепловой

?) тоннельный

?) смешанный

?) происходит усиление по току

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по току

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по току

?) нет усиления по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) активный четырехполюсник

?) интегральную микросхему

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» - к p-области

?) «+» - к n-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «-» - к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к n области

?) «+» будет подключен к p-области

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) работающие как широкополосные усилители

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) имеющие два силовых электрода

?) схемах генерирования

?) усилительных схемах

?) качестве активного элемента

?) слаботочных импульсных устройствах

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) с высоким быстродействием

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с малой площадью активной поверхности

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) истоком

?) базой

?) стоком

?) затвором

?) при заданном токе

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) тока от напряжения

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) напряжение источников питания

?) размеры полупроводника

?) концентрацию примесей

?) диффузную емкость

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) основных носителей против поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) лавинный пробой перейдет в тепловой

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) процесс рекомбинации замедлен

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) вольт-амперной

?) внешней

?) кулон-вольтной

?) вебер-амперной

?) общий электрод от контактов областей

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) электроны присутствуют всегда

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) при нормальных условиях электронов нет

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) резко изменяется режим работы перехода

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал