Список вопросов базы знаний

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) возможность работы на на низких частотах

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) полевые транзисторы

?) усилительные каскады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) смешанный

?) тепловой

?) лавинный

?) тоннельный

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по напряжению

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по мощности

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) активный четырехполюсник

?) интегральную микросхему

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) «+» - к n-области

?) «-» будет подключен к p-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «+» - к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «+» будет подключен к n области

?) «-» - к p-области

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) имеющие два силовых электрода

?) работающие как широкополосные усилители

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) качестве активного элемента

?) схемах генерирования

?) усилительных схемах

?) слаботочных импульсных устройствах

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) с малой площадью активной поверхности

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с высоким быстродействием

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) контактирующих слоях проводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях проводника

?) стоком

?) затвором

?) истоком

?) базой

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) тока от напряжения

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) размеры полупроводника

?) диффузную емкость

?) концентрацию примесей

?) напряжение источников питания

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода

?) неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) основных носителей против поля р-n перехода

?) лавинный пробой перейдет в тепловой

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) процесс рекомбинации замедлен

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) кулон-вольтной

?) вольт-амперной

?) внешней

?) вебер-амперной

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) при нормальных условиях электронов нет

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) электроны присутствуют всегда

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) резко изменяется режим работы перехода

?) активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) общий электрод от контактов областей