Список вопросов базы знаний

?) небольшого времени перезарядки емкости

?) возможность работы на на низких частотах

?) большой барьерной емкости р-n перехода

?) односторонней проводимости р-n перехода

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

?) концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях

?) движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии

?) концентрация атомов примесей различна в различных точках базы

?) несколько транзисторов в одном корпусе

?) усилительные каскады, в которых транзисторы включены по схеме с общим коллектором

?) биполярные и полевые транзисторы одновременно

?) полевые транзисторы

?) лавинный

?) тоннельный

?) смешанный

?) тепловой

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) нет усиления по току

?) нет усиления по напряжению

?) происходит усиление по току

?) нет усиления по току

?) происходит усиление по току и по мощности

?) происходит усиление по напряжению

?) происходит усиление по напряжению и по мощности

?) происходит усиление по току и по мощности

?) нет усиления по току

?) нет усиления по мощности

?) происходит усиление по току и по напряжению

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) активный четырехполюсник

?) электрически управляемую катушку индуктивности

?) интегральную микросхему

?) конденсатор с электрически управляемой емкостью

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) диффузная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного напряжения

?) барьерная емкость р-n перехода изменяется при изменении обратного тока

?) «-» будет подключен к p-области

?) «+» - к p-области

?) «+» - к n-области

?) «-» будет подключен к n-области

?) «-» - к p-области

?) «+» будет подключен к p-области

?) «-» - к n области

?) «+» будет подключен к n области

?) увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

?) уменьшает концентрации свободных электронов и дырок

?) увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

?) увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

?) от инжекции носителя электричества в базу до рекомбинации

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят базу

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят коллектор

?) за которое инжектируемые носители электричества проходят эмиттер

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

?) значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

?) выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

?) значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

?) вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором

?) микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала

?) оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности

?) газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

?) работающие как широкополосные усилители

?) с двумя устойчивыми режимами работы

?) имеющие два силовых электрода

?) которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы

?) усилительных схемах

?) слаботочных импульсных устройствах

?) качестве активного элемента

?) схемах генерирования

?) полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя

?) диод, использующий не p-n-переход, а выпрямляющий контакт металл-полупроводник

?) полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) полупроводниковый диод, напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока

?) сплавные, диффузионные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) точечные и плоскостные

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) сплавные, диффузионные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) точечные и плоскостные

?) сплавные, диффузионные

?) точечные и плоскостные

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

?) кремниевые, германиевые, из арсенида галлия

?) туннельные, фотодиоды, светодиоды

?) точечные и плоскостные

?) с высоким быстродействием

?) световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход

?) с малой площадью активной поверхности

?) монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) неосновных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии в направлении поля р-n перехода

?) основных носителей заряда через р-n переход в смежные области при диффузии против поля р-n перехода

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях полупроводника

?) выпрямляющем электрическом переходе

?) контактирующих слоях проводника

?) неконтактирующих слоях полупроводника

?) контактирующих слоях полупроводника

?) стоком

?) истоком

?) затвором

?) базой

?) тока от напряжения

?) при заданном напряжении

?) тока от напряжения

?) при заданном токе

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью

?) большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью

?) малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

?) концентрацию примесей

?) размеры полупроводника

?) диффузную емкость

?) напряжение источников питания

?) незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока

?) незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

?) значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока

?) значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

?) основных носителей против поля р-n перехода

?) неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода

?) одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

?) резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

?) лавинный пробой перейдет в туннельный

?) резко увеличится прямое напряжения на переходе

?) лавинный пробой перейдет в тепловой

?) диффузионная емкость перехода равна нулю

?) участок электрического пробоя практически отсутствует

?) его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя

?) процесс рекомбинации замедлен

?) кулон-вольтной

?) вольт-амперной

?) вебер-амперной

?) внешней

?) общий электрод от контактов областей

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) электронов нет ни при каких температурных условиях

?) электроны присутствуют всегда

?) при нормальных условиях электронов нет

?) при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой - могут в ней быть

?) коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер - роль коллектора

?) в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный - в обратном

?) оба p-n-перехода смещены в обратном направлении

?) один переход смещен в прямом направлении, а другой - в обратном

?) приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы

?) приборы, в которых под действием оптического излучения происходят изменения, позволяющие обнаружить это излучение и измерить его характеристики

?) электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

?) фоточувствительные полупроводниковые диоды с p-n переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода

?) перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

?) перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

?) резко изменяется режим работы перехода

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении

?) напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в обратном направлении

?) увеличивается дифференциальное сопротивление перехода

?) полупроводниковый прибор, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением

?) конструктивно законченное изделие электронной техники, содержащее совокупность электрически связанных в функциональную схему электрорадиоэлементов, изготовленных в едином технологическом цикле

?) активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля

?) электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом, имеющий два вывода

?) контакт, через который носители заряда входят в канал

?) контакт, через который носители заряда вытекают

?) часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами

?) общий электрод от контактов областей